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烧录机FLASH基本存储单元的操作

点击:1 更新时间:2022.01.21 来源: www.ic-test.cn

      烧录机FLASH基本存储单元的操作---写/擦除/读

  FLASH中,常用的向浮栅注入电荷的技术有两种---热电子注入(hot electron injection)和F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling);从浮栅中挪走电荷的技术通常使用F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)。
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  写操作就是向浮栅注入电荷的过程,NOR FLASH通过热电子注入方式向浮栅注入电荷(这种方法的电荷注入效率较低,因此NOR FLASH的写速率较低),NAND FLASH则通过F-N隧道效应向浮栅注入电荷。FLASH在写操作之前,必须先将原来的数据擦除(即将浮栅中的电荷挪走),也即FLASH擦除后读出的都是‘1’。

  擦除操作就是从浮栅中挪走电荷的过程,NOR FLASH和NAND FLASH都是通过F-N隧道效应将浮栅中的电荷挪走的。

  读出操作时,控制栅极上施加的电压很小,不会改变浮栅中的电荷量,即读出操作不会改变FLASH中原有的数据,也即浮栅有电荷时,D和S间存在导电沟道,从D极读到‘0’;当浮栅中没有电荷时,D和S间没有导电沟道,从D极读到‘1’。