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编程器主流路由芯片的发展史和解析

点击:100 更新时间:2019.04.23 来源: www.ic-test.cn

对于编程器来说,可编程的芯片有很多种类型,对于主流路由芯片的发展史和解析这里小编和大家讲解一下。
 一、IIC EEPROM

此芯片有简单的两条总线线路,一条串行数据线(SDA),一条串行时钟线(SCL);位速率标准模式下可达100Kbit/s;一种电可擦除可编程只读存储器,常用芯片型号有 AT24C02、FM24C02、CAT24C02等,其常见的封装多为DIP8,SOP8,TSSOP8等;属于过时产品,不再详细阐述~~

     二、CFI Flash

   此为并行总线的nor flash闪存。拥有独立的数据线和地址总线,它同样继承了NOR技术Flash Memory的所有特点;由于采用了Parallel接口,Parallel NorFalsh相对于SPI NorFlash,支持的容量更大,读写的速度更快,但是由于占用的地址线和数据线太多,所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。

    二、SPI  Flash

   确切的说,应该叫SPINorFlash更准确一些,这种是串行总线接口,也就是我们路由上常用的闪存芯片居多,SPI NorFlash接口简单,使用的引脚少,易于连接,操作方便,并且可以在芯片上直接运行代码,其稳定性出色,传输速率高,在小容量时具有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中。

   四、CFI NandFlash

    不知道这样叫是否准确,但是为了方便记忆,就这么理解好了。NandFlash在工艺制程方面分有三种类型:SLC、MLC、TLC。看到这,相信有些人已经明白其应用了,不作多解释。其主要用来数据存储,大部分的U盘都是使用 NandFlash,常见的封装多为TSOP48、BGA63、BGA107,BGA137等。

   五、SPI NandFlash

     采用了SPI NorFlash一样的SPI的通信协议,在读写的速度上没什么区别,但在存储结构上却采用了与CFI NandFlash相同的结构,所以SPI nand相对于SPI norFlash具有擦写的次数多,擦写速度快的优势,在使用以及使用过程中会出现坏块,芯片自己有内部ECC纠错模块。

   六、eMMC Flash

     eMMC采用统一的MMC标准接口,其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。小盆友们可以这么理解,那就是NAND+主控芯片=EMMC芯片。这样好理解一点。主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器,光猫,机顶盒也有采用。老款手机,2015年以前吧,不知道记忆的是否准确,大多这种存储芯片。

   七、USF闪存

   这个就厉害了,属于屌炸天系列,目前主流旗舰手机多采用UFS2.1闪存,编程器价格自己去查,我只能呵呵了,从2013年9月发布了第一代的通用闪存存储器标准USF2.0开始,到如今的2.1,你如果知道固态硬盘的M.2,然后做个比较,就知道什么叫速度。eMMC是半双工,读写必须分开执行,这就是差距。UFS芯片不仅传输速度快,功耗也要比eMMC5.0低一半。某为手机P10闪存门时间闹得沸沸扬扬,就是这厮引起的,不再表述。

     以上是我个人对近年来闪存的一些理解,可能和佐大等一些大神的理解有点出入,具体有待进一步学习补充,不足之处,也希望大神们不吝赐教,做个补充,随时告知本人修正。不胜感激。本人在各大群ID奇星,有问题大家可以互相探讨,一起学习~~此三篇到此结束~~~没有大家的鼓励,我连图片也懒得上传了~~以后再说吧